美光业绩惊喜重燃AI存储半导体ETF动能与韩国市场关注

美光在2026财年第三季度录得调整后EPS 25.11美元、营收414.6亿美元，明显超过市场预期。AI推理扩大使HBM、DRAM和NAND需求同步走强。存储供应链ETF短期吸引力上升。韩国投资者应同时评估韩元折算收益、汇率对冲、税务以及三星电子和SK海力士的联动影响。

ETF快讯编辑部·2026/6/29·阅读 1 分钟

美光2026财年第三季度业绩惊喜，使存储半导体ETF重新站到交易主线。6月24日收盘后，公司公布调整后每股收益25.11美元、营收414.6亿美元，显示AI基础设施需求不只属于GPU，也正在推高HBM、DRAM和NAND。

数字改变预期

市场原本预期每股收益约20至21美元、营收约360亿美元。美光两项均大幅超出，营收同比超过四倍，毛利率升至80%中段。按1美元兑1,370韩元估算，本季营收约56.8万亿韩元；下一季度约500亿美元营收展望约合68.5万亿韩元。

AI推理需要高速内存访问、能效和高性能存储，而新增晶圆厂和设备导入周期较长，供应难以迅速跟上。价格、利润率和盈利预期因此获得支撑，覆盖美光、存储设备、材料和存储公司的ETF受益更直接。

韩国投资者应比较美国上市ETF与韩国上市海外半导体ETF的美光权重、汇率对冲、税务处理，以及对三星电子和SK海力士的联动。短期内，纯存储敞口更具动能；中期风险在于内存价格见顶、AI服务器支出放缓和美元兑韩元波动。

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美光在2026财年第三季度录得调整后EPS 25.11美元、营收414.6亿美元，明显超过市场预期。AI推理扩大使HBM、DRAM和NAND需求同步走强。存储供应链ETF短期吸引力上升。韩国投资者应同时评估韩元折算收益、汇率对冲、税务以及三星电子和SK海力士的联动影响。
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美光业绩为何影响存储半导体ETF？

美光直接反映DRAM、NAND和HBM需求与价格趋势。业绩大幅超预期会改善相关公司盈利预期，并带动持有这些公司的ETF情绪。

存储半导体ETF通常持有哪些公司？

这类ETF通常覆盖美光等存储制造商、半导体设备和材料公司，以及高性能存储相关企业。各产品的美光权重和纯存储敞口不同。

韩国投资者应重点检查什么？

应检查美元兑韩元风险、汇率对冲、税务规则、指数方法和美光权重，并观察三星电子与SK海力士的联动影响。

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